技術(shù)編號(hào)：11410631
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種混沌信號(hào)發(fā)生器，實(shí)現(xiàn)一種簡(jiǎn)易可靠的二階非自治混沌信號(hào)源。背景技術(shù)憶阻器是華裔科學(xué)家蔡少棠于上世紀(jì)七十年代提出的一個(gè)新概念，是除電感器、電容器和電阻器之外的第四種基本元器件。憶阻器的顯著特點(diǎn)是具有記憶性和非線性，能夠模擬類似神經(jīng)元的行為，是模擬人腦最理想的物理器件。2008年惠普公司實(shí)驗(yàn)室首次制成納米級(jí)TiO2器件，使國際電工電子技術(shù)屆一片震驚，隨后幾年關(guān)于憶阻及其相關(guān)應(yīng)用的報(bào)道呈井噴式增長(zhǎng)。憶阻混沌電路便是其中的一個(gè)應(yīng)用分支，引入憶阻之后的混沌電路比常規(guī)非線性電路具有更復(fù)雜的動(dòng)力學(xué)...
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