技術編號：11409928
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本申請涉及存儲器領域，具體而言，涉及一種磁性納米線器件、其制作方法與磁性納米線的構筑方法。背景技術近年來人們發(fā)展了很多新型信息材料和器件。如閃存、阻變存儲器(RRAM)、磁記錄、磁存儲器(MRAM)等，在這些技術中，有些利用了電子的電荷屬性，有些利用了電子的自旋屬性。MRAM利用了電子的自旋屬性，其基本結構為自旋閥或磁隧道結(兩個鐵磁層用一個非磁金屬層或絕緣層隔離)，基于磁電阻效應工作，其中，一個鐵磁層的磁化方向固定而另一個鐵磁層的磁化方向會隨外磁場而變化，因而器件的電阻會發(fā)生變化從而實現(xiàn)數(shù)據(jù)存...
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