技術(shù)編號(hào):11409859
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體功率器件技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種半導(dǎo)體超結(jié)功率器件。背景技術(shù)超結(jié)功率器件是基于電荷平衡技術(shù),可以降低導(dǎo)通電阻和寄生電容,使得超結(jié)功率器件具有極快的開(kāi)關(guān)特性,可以降低開(kāi)關(guān)損耗,實(shí)現(xiàn)更高的功率轉(zhuǎn)換效率。如圖1所示,公知的超結(jié)功率器件包括元胞區(qū)和終端區(qū),元胞區(qū)用于獲得低導(dǎo)通電阻,終端區(qū)用于獲得高耐壓。器件的終端區(qū)根據(jù)產(chǎn)品的具體要求,其柱狀摻雜區(qū)102的個(gè)數(shù)不同,主要用于不同產(chǎn)品的耐壓要求。器件的元胞區(qū)包括襯底外延層101的漏區(qū)100和用于與襯底外延層101雜質(zhì)形成電荷平衡的多個(gè)垂直平行...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。