技術(shù)編號：11409855
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明實(shí)施例涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，并且更具體地，涉及鰭式場效應(yīng)晶體管及其形成方法。背景技術(shù)隨著傳統(tǒng)平面MOSFET的尺寸收縮已經(jīng)遇到諸如漏致勢壘降低(DIBL)、器件的波動特性以及電流泄露的問題，已經(jīng)開發(fā)諸如鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET)的三維多柵極結(jié)構(gòu)作為替代物。發(fā)明內(nèi)容根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供一種鰭式場效應(yīng)晶體管，包括：襯底，具有隔離結(jié)構(gòu)和位于隔離結(jié)構(gòu)之間的鰭；至少一個柵極結(jié)構(gòu)，設(shè)置在襯底上方并且在隔離結(jié)構(gòu)上；間隔件，設(shè)置在至少一個柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上；第一阻擋材料層，設(shè)置在間隔件上；應(yīng)變源極和漏...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。