技術編號：11409829
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。用于制造半導體器件的方法相關申請的交叉引用于2016年2月24日提交的日本專利申請No.2016-033597的全部公開內容，包括說明書、附圖和摘要，通過引用合并于本文中。技術領域本發(fā)明涉及用于制造半導體器件的方法，并且更具體來說，涉及一種適合于在用于制造例如非易失性存儲器的半導體器件的方法中使用的技術。背景技術電可擦除和可編程只讀存儲器(EEPROM)廣泛用作可以電寫入和擦除的非易失性半導體存儲器件。目前廣泛使用的以閃存存儲器作為代表的這種存儲器件包括導電浮置柵電極或俘獲絕緣膜，其被氧化物膜包...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。