技術(shù)編號(hào)：11407694
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種金字塔陣列結(jié)構(gòu)黑硅的二維仿真模型及其建立方法和運(yùn)用金字塔陣列結(jié)構(gòu)黑硅二維仿真模型仿真光學(xué)吸收性能的方法。背景技術(shù)黑硅作為一種新型低反射率材料，在近紫外至近紅外波段(0.25～2.5μm)均表現(xiàn)出了良好的吸收特性。此外，黑硅還具有良好的可見和近紅外發(fā)光特性以及良好的場(chǎng)致發(fā)射特性等，并且成本低，靈敏度高——基于黑硅的光探測(cè)器在可見光波段的靈敏度甚至可以達(dá)到傳統(tǒng)硅探測(cè)器的10倍。在光電二極管、太陽(yáng)能電池、光電探測(cè)器和發(fā)光器件等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景，甚至可以用于廣闊的數(shù)碼相機(jī)和攝像市場(chǎng)，...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
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