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一種發(fā)光二極管的外延片及其制備方法與流程技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):11388207

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本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種發(fā)光二極管的外延片及其制備方法。背景技術(shù)發(fā)光二極管(英文:LightEmittingDiode,簡(jiǎn)稱(chēng):LED)是利用半導(dǎo)體的PN結(jié)電致發(fā)光原理制成的一種半導(dǎo)體發(fā)光器件。外延片是發(fā)光二極管制備過(guò)程中的初級(jí)成品?,F(xiàn)有的外延片包括藍(lán)寶石襯底以及依次層疊在藍(lán)寶石襯底上的緩沖層、未摻雜氮化鎵層、N型氮化鎵層、多量子阱層、電子阻擋層和P型氮化鎵層。其中,多量子阱層包括多個(gè)量子阱和多個(gè)量子壘,多個(gè)量子阱和多個(gè)量子壘交替層疊設(shè)置,量子阱為銦鎵氮層,量子壘為氮化鎵層。在實(shí)現(xiàn)本...
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