技術(shù)編號：11371791
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種硅片的激光減薄切割一體化方法，尤其是一種皮秒激光減薄切割多晶硅片的一體化加工方法，屬于半導(dǎo)體材料激光加工領(lǐng)域。背景技術(shù)硅片在半導(dǎo)體器件領(lǐng)域中應(yīng)用廣泛，隨著電子產(chǎn)品對高性能、多功能和小型化的需求推動了集成電路(IC)封裝技術(shù)的發(fā)展，需要對硅片進(jìn)行背面減薄加工。硅片背面減薄技術(shù)有很多種，如磨削、拋光、干式拋光、電化學(xué)腐蝕、濕法腐蝕、等離子輔助化學(xué)腐蝕和常壓等離子腐蝕等。目前，金剛石砂輪的超精密磨削技術(shù)在硅片工業(yè)減薄加工中廣泛應(yīng)用，該技術(shù)通過砂輪在硅片表面旋轉(zhuǎn)施壓、損傷、破裂、移除而實現(xiàn)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。