技術(shù)編號：11340206
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本實用新型涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種用于PVT法生長碳化硅晶體的坩堝裝置。背景技術(shù)碳化硅作為一種新型的寬禁帶半導(dǎo)體材料，引起了廣泛的關(guān)注。在高溫、高頻率和高功率的應(yīng)用上比傳統(tǒng)的藍寶石和硅更為優(yōu)異，碳化硅的特性主要包含高熔點、高導(dǎo)電性、高導(dǎo)熱性及耐高電壓等，因此成為高頻率和高功率器件的重要材料，廣泛應(yīng)用于航空、航天、火箭、地質(zhì)鉆探等重要領(lǐng)域。目前生長碳化硅單晶普遍采用物理氣相輸運法(PVT法)，將碳化硅籽晶貼在石墨坩堝蓋上，石墨坩堝內(nèi)裝有作為生長原料的碳化硅粉源，碳化硅粉源被加熱到1800-...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。