技術編號：11334403
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。金屬硬掩模組合物和用于在半導體基底上形成精細圖案的方法發(fā)明領域本發(fā)明涉及包含多元醇添加劑和可溶性多配體取代的金屬化合物的組合物，其用作金屬硬掩模，其顯示對于溝槽或通孔(via)微光刻特征的改進的空隙填充能力，以及在基于氧的等離子體中的良好的耐等離子體蝕刻性；這些組合物用于通過硬掩模的圖案轉移在半導體基底上形成精細圖案中的方法。背景金屬氧化物膜可用于半導體工業(yè)中的各種應用，例如光刻硬掩模、用于抗反射涂層的底層和電光器件。作為實例，光致抗蝕劑組合物用于微光刻工藝中，用于制造小型化的電子部件，例如用于...
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