技術(shù)編號：11326643
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于電力電子領(lǐng)域，尤其是一種柵極側(cè)和負(fù)載側(cè)控制的IGBT串聯(lián)復(fù)合均壓電路。背景技術(shù)絕緣柵雙極型晶體管(Insulatedgatebipolartransistor，IGBT)器件具有耐壓高、開關(guān)速度快、易驅(qū)動等優(yōu)點(diǎn)，在脈沖功率領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。目前單個(gè)IGBT器件的耐電壓等級(最高約6.5kV)與容量不能滿足高壓大功率開關(guān)的需求。應(yīng)用IGBT串聯(lián)技術(shù)是提升半導(dǎo)體固態(tài)開關(guān)電壓等級與功率的一種有效方法，通過各串聯(lián)IGBT均分高電壓，使固態(tài)開關(guān)達(dá)到耐高電壓的目的。IGBT串聯(lián)技術(shù)的難點(diǎn)在于：由于IG...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。