技術(shù)編號(hào):11322959
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。一種NANDFLASH芯片的塊信息標(biāo)識(shí)實(shí)現(xiàn)方法技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及NandFlash技術(shù)領(lǐng)域,具體地說(shuō)是一種可快速定位問(wèn)題所在的NANDFLASH芯片的塊信息標(biāo)識(shí)實(shí)現(xiàn)方法。背景技術(shù)NandFlash內(nèi)存是flash內(nèi)存的一種,其內(nèi)部采用非線性宏單元模式,為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案,尤其在雷達(dá)及航天等領(lǐng)域,對(duì)存儲(chǔ)設(shè)備的容量及讀寫速率要求非常苛刻。隨著計(jì)算機(jī)技術(shù)的不斷發(fā)展,存儲(chǔ)設(shè)備的容量和速度都得到很大的提升。新型高速硬盤大多以NandFlash芯片為存儲(chǔ)介質(zhì),但是該存儲(chǔ)芯片的控制...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。
請(qǐng)注意,此類技術(shù)沒(méi)有源代碼,用于學(xué)習(xí)研究技術(shù)思路。