技術(shù)編號：11319975
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及晶硅太陽能電池領(lǐng)域，尤其涉及一種太陽能電池硅片的處理方法。背景技術(shù)目前在晶硅太陽能電池領(lǐng)域，比較常見的三種晶硅基體電池是多晶、單晶、類單晶，硅片切割方式比較常見的是砂漿切割和金剛線切割。目前，在處理用于制備太陽能電池的硅片時(shí)，常規(guī)多晶一般采取酸制絨的方式，形成蠕蟲狀的坑洞，該方法處理過的硅片表面反射率較高，但其光電轉(zhuǎn)換效率難以進(jìn)一步提升；常規(guī)單晶一般采取堿制絨的方式，形成金字塔狀結(jié)構(gòu)，其反射率相對多晶有較大幅度的降低。從制作成本方面來看，金剛線切割方式大大降低了單、多晶的切割成本，金剛...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲(chǔ)備，不適合論文引用。