技術(shù)編號(hào):11289742
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件和其制造方法,特別是涉及具有優(yōu)異的元件壽命的第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件和其制造方法。背景技術(shù)以往,包含Al、Ga、In等與N的化合物的第III族氮化物半導(dǎo)體用作紫外光發(fā)光元件的材料。其中,包含高Al組成的AlGaN的第III族氮化物半導(dǎo)體用于紫外發(fā)光元件、發(fā)光波長(zhǎng)300nm以下的深紫外光發(fā)光元件(DUV-LED)。作為第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件所要求的特性,例如可以舉出高外部量子效率特性、低阻抗特性等。本申請(qǐng)申請(qǐng)人以前在專(zhuān)利文獻(xiàn)1提出了通過(guò)在量子阱...
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該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。