技術(shù)編號(hào):11289705
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明一般來(lái)說(shuō)涉及半導(dǎo)體裝置,且更明確地說(shuō)涉及半導(dǎo)體裝置中的III-N場(chǎng)效應(yīng)晶體管。背景技術(shù)增強(qiáng)模式氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaNFET)包含凹陷柵極,所述凹陷柵極延伸到應(yīng)力源層及勢(shì)壘層中且與經(jīng)低摻雜氮化鎵(GaN)層垂直分離。通過(guò)蝕刻而形成柵極凹部以與經(jīng)低摻雜GaN層具有所要垂直分離是有問(wèn)題的。定時(shí)蝕刻在與經(jīng)低摻雜GaN層的分離中會(huì)產(chǎn)生不可接受變化。使用蝕刻阻擋層來(lái)形成柵極凹部會(huì)在勢(shì)壘層及/或應(yīng)力源層中產(chǎn)生缺陷。發(fā)明內(nèi)容在所描述實(shí)例中,一種在III-N層堆疊上含有增強(qiáng)模式GaNFET的半導(dǎo)體裝置包...
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