技術(shù)編號(hào)：11289646
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，且更具體而言，涉及在這樣的器件中形成晶體管的柵極觸點(diǎn)的方法。背景技術(shù)在半導(dǎo)體電路的制造中，并且更精確而言，在該制造工藝的流水線階段的后端，需要形成連接到其對應(yīng)的接觸線的柵極觸點(diǎn)。與源極和漏極觸點(diǎn)不同，器件通道上可用于放置這些柵極觸點(diǎn)的面積非常有限。此外，最小面積規(guī)則限制了這些柵極觸點(diǎn)能夠被制作成如何小的程度。因此，在器件溝道的頂部上形成柵極觸點(diǎn)導(dǎo)致對相鄰的柵極、源極和漏極觸點(diǎn)的遮蔽和短路的形式的干擾，伴隨著在這些特征的產(chǎn)生期間對防止小的偏移的無能，這進(jìn)一步加劇了問題。從...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。