技術(shù)編號(hào)：11289490
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種化學(xué)機(jī)械研磨用處理組合物、化學(xué)機(jī)械研磨方法及清洗方法。背景技術(shù)化學(xué)機(jī)械研磨(ChemicalMechanicalPolishing，CMP)是半導(dǎo)體裝置的制造中的平坦化技術(shù)等且已見到急速普及。該CMP是將被研磨體壓抵于研磨墊，在研磨墊上一邊供給化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體，一邊使被研磨體與研磨墊相互滑動(dòng)，以化學(xué)且機(jī)械的方式研磨被研磨體的技術(shù)。近年來，隨著半導(dǎo)體裝置的高精細(xì)化，在半導(dǎo)體裝置內(nèi)形成的包含配線及栓柱等的配線層的微細(xì)化不斷推進(jìn)。伴隨于此，使用通過化學(xué)機(jī)械研磨使配線層平坦化的方法...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。