技術(shù)編號:11284023
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及改進的高溫共燒陶瓷(HTCC)處理方法,其能夠產(chǎn)生大尺寸多層陶瓷器件。典型的應(yīng)用將是在半導(dǎo)體制造中使用的晶片加熱和靜電靜態(tài)卡盤裝置的制造中。背景技術(shù)許多技術(shù)領(lǐng)域要求具有嵌入式電導(dǎo)體的大型陶瓷體。作為非限制性示例,在半導(dǎo)體制造過程中,可以使用晶片加熱或卡盤夾緊裝置。在半導(dǎo)體晶片或顯示器的處理中,襯底支撐物被用于在特定制造過程期間(諸如在芯片制造過程期間)保持襯底。襯底支撐物在本領(lǐng)域中通常已知為靜電卡盤(ESC),這是因為它在制造過程期間(諸如在物理氣相沉積(PVD)、化學(xué)氣相沉積(CVD...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。