技術編號：11278134
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種半導體裝置，特別是涉及半導體裝置的接合結構及其制造方法。背景技術半導體裝置包含由Ⅲ-Ⅴ族元素組成的化合物半導體，例如磷化鎵(GaP)、砷化鎵(GaAs)、氮化鎵(GaN)，半導體裝置可以為發(fā)光二極管(LED)、功率裝置或太陽能電池。其中，LED的結構包含一p型半導體層、一n型半導體層與一活性層，活性層設于p型半導體層與n型半導體層之間，使得在一外加電場作用下，n型半導體層及p型半導體層所分別提供的電子及空穴在該活性層復合，以將電能轉(zhuǎn)換成光能。為了提高LED的電性效能與散熱效率，以芯...
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