技術(shù)編號(hào)：11262776
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體分立器件領(lǐng)域，尤其涉及一種采用異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)的可控硅及其制造方法。背景技術(shù)可控硅是一種常見的三端器件，通過施加合適的柵極電流可以觸發(fā)器件進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)。觸發(fā)電流由柵極偏置電路提供，觸發(fā)電流過大意味著柵極偏置電路功耗大、觸發(fā)電路復(fù)雜，為了降低柵極偏置電路的功耗，在一定的范圍內(nèi)減小觸發(fā)電流是有必要的。為了減小常溫下可控硅的觸發(fā)電流，工藝上常用的一種方法是提高N+陰極區(qū)的摻雜濃度，減小P型短基區(qū)的摻雜濃度，減小NPN三極管有效基區(qū)寬度，使得可控硅體內(nèi)NPN三極管的放大系數(shù)變大，從而起到減小觸...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。