技術編號：11262741
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明描述封裝的功率半導體裝置，其被構建為例如作為整流器電路或逆變器電路。背景技術現(xiàn)有技術中已知，封裝的功率半導體裝置具有金屬本體和兩個功率半導體元件，例如在EP2881985A1中公開的，其中功率半導體元件在金屬模鑄體上以堆疊方式設置。由絕緣材料封裝功率半導體元件，其中絕緣材料還圍繞功率半導體元件的連接線。利用上述這些因素的知識，本發(fā)明是基于提供封裝的功率半導體裝置的目的，其特別是在支持有效冷卻和均勻排布方面改進現(xiàn)有技術。根據本發(fā)明，利用金屬模鑄體構造封裝的功率半導體裝置，金屬模鑄體形成第一連...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。