技術(shù)編號(hào)：11252598
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種準(zhǔn)垂直結(jié)構(gòu)的GaN基肖特基二極管制備方法。背景技術(shù)以Si、GaAs等傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的肖特基倍頻二極管器件由于受到材料本身屬性的限制，在功率和耐擊穿電壓等相應(yīng)指標(biāo)上很難再有進(jìn)一步的提高。近年來以Ⅲ族氮化物為表的新一代寬禁帶半導(dǎo)體材料發(fā)展迅猛，具有寬帶隙、高飽和電子漂移速、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)和高熱導(dǎo)率等優(yōu)越材料性能，在毫米波、亞毫米波大功率電子器件領(lǐng)域極具發(fā)展?jié)摿??；贕aN的肖特基二極管毫米波、亞毫米波倍頻器件的研究是目前國(guó)際上的熱點(diǎn)。由于GaN材料的電子遷...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。