技術(shù)編號(hào):11235521
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種膜層的摻雜方法、薄膜晶體管及其制作方法。背景技術(shù)現(xiàn)有技術(shù)的液晶顯示器(LiquidCrystalDisplay,LCD)、有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管(ActiveMatrixOrganicLightEmittingDiode,AMOLED)背板技術(shù)以及半導(dǎo)體器件工藝制程中,一般需要對(duì)半導(dǎo)體層進(jìn)行多次不同離子、不同劑量的摻雜,以改善其薄膜晶體管(ThinFilmTransistor,TFT)電學(xué)特性。如圖1所示,現(xiàn)有技術(shù)的頂柵型薄膜晶體管包括依次位于襯底基板10上的...
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