技術(shù)編號(hào)：11235493
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種基板處理裝置。背景技術(shù)提出了一種主要通過等離子體中的自由基對(duì)處理容器內(nèi)的半導(dǎo)體晶圓(以下稱作“晶圓”。)進(jìn)行蝕刻處理的方法(例如參照專利文獻(xiàn)1)。在主要通過自由基來蝕刻晶圓的情況下，想要抑制等離子體中的離子作用于晶圓。因此，在處理容器的內(nèi)部配置將等離子體生成空間和基板處理空間分隔的分隔板。通過分隔板能夠抑制等離子體中的離子從等離子體生成空間穿過到基板處理空間。另一方面，等離子體中的自由基穿過分隔板向基板處理空間移動(dòng)，有助于晶圓的蝕刻。由此，能夠在抑制離子到達(dá)晶圓表面的同時(shí)利用自由基...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。