技術(shù)編號：11232727
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。這個(gè)公開大體上涉及鐵電隨機(jī)存取存儲器(FRAM)，并且更具體地涉及提供用于FRAM的時(shí)間跟蹤電路的方法和設(shè)備。背景技術(shù)鐵電隨機(jī)存取存儲器(FRAM)是一種包括位單元的陣列的非易失性存儲裝置。每個(gè)FRAM位單元包括存儲電荷的鐵電電容器。電荷對應(yīng)于邏輯值。能夠通過存儲控制器改變(例如，寫入)和/或讀取電荷。常規(guī)的FRAM電路包含一定數(shù)量的行和列的位單元(例如，512行和72列)。然而，F(xiàn)RAM技術(shù)的進(jìn)展已經(jīng)導(dǎo)致各種數(shù)量的行和列的FRAM的電路。例如，F(xiàn)RAM可以包括允許高達(dá)非易失性存儲器的7.2萬位...
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