技術編號：11230313
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明實施例涉及一種等離子體系統(tǒng)的腔室。背景技術在制造現(xiàn)今半導體裝置時，通過氣體的化學反應將薄層沉積在半導體襯底上是主要步驟之一。此沉積過程一般稱為化學氣相沉積(chemicalvapordeposition，CVD)工藝。典型的熱CVD工藝將反應氣體供應到襯底表面，并在所述襯底表面發(fā)生熱誘導(heat-induced)的化學反應，以制造出所需的層。另一方面，等離子體增強化學氣相沉積(Plasma-enhancedCVD，PECVD)技術則是通過將射頻(radiofrequency，RF)能量施...
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