技術(shù)編號：11224476
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及真空鍍膜技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種磁控濺射傾斜沉積鍍膜裝置。背景技術(shù)納米柱是一種高度有序的納米陣列結(jié)構(gòu)。目前，制備納米柱的方法主要有：納米壓印技術(shù)、(極)遠紫外光刻、電子/離子束光刻、模板法等手段。與其他方法相比，模板法制備的納米結(jié)構(gòu)具有相當?shù)撵`活性，實驗裝置簡單，操作條件溫和，能夠精確控制納米材料的尺寸、形貌和結(jié)構(gòu)，所以得到廣泛關(guān)注。但模板法制備納米結(jié)構(gòu)也存在一些缺點：有機化合物模板需使用有機溶劑去除，這會在一定程度上破壞了納米材料的結(jié)構(gòu)；一些有序納米材料的模板成本較高等。利用模板法制備納...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。