技術(shù)編號：11215582
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種激光加工晶圓的控制方法及系統(tǒng)。背景技術(shù)隨著智能化的逐漸發(fā)展，對芯片制造和封測領(lǐng)域的要求日益增大，尤其是針對半導(dǎo)體、有機(jī)、無機(jī)等材料，在微米、納米尺度范圍內(nèi)進(jìn)行加工制造。目前，在對90nm節(jié)點(diǎn)以下的晶圓進(jìn)行切割時(shí)，基片上方一般覆蓋Low-K材料，由于Low-K材料與基片襯底之間的粘附力不如介電常數(shù)的材料(如二氧化硅等)與基片襯底之間的粘附力，因此，在對覆蓋有Low-K材料的晶圓進(jìn)行切割形成凹槽時(shí)，會造成Low-K材料的粘連脫落從而降低芯片良率、甚至造成晶圓基片...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。