技術(shù)編號(hào)：11214310
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。集成電路的制造方法與半導(dǎo)體元件本申請(qǐng)主張于2016年3月29日提出申請(qǐng)的美國(guó)臨時(shí)專(zhuān)利申請(qǐng)案第62/314411號(hào)的優(yōu)先權(quán)，所述美國(guó)臨時(shí)專(zhuān)利申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容并入本案供參考。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及一種集成電路的制造方法，且特別涉及一種使用大的晶圓的集成電路的制造方法。背景技術(shù)多年以來(lái)，已使用硅晶圓以制造集成電路。單一晶圓可經(jīng)使用以形成大量的集成電路的晶粒，降低平均成本。通常來(lái)說(shuō)，使用越來(lái)越大的晶圓為制造的趨勢(shì)。因此，晶圓的尺寸穩(wěn)定地增加，使得現(xiàn)在先進(jìn)的生產(chǎn)線(xiàn)所使用的晶圓具有300mm或更大的直徑。根據(jù)借由...
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該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。