技術編號：11136785
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及量子點技術領域，尤其涉及一種量子點發(fā)光二極管及制備方法。背景技術基于無機納米晶的量子點發(fā)光材料具有出射光顏色飽和、波長可調(diào)、光致、電致發(fā)光量子產(chǎn)率高等適合高性能顯示器件的優(yōu)點。從制備工藝角度看，量子點發(fā)光材料適用于非真空條件下的旋涂、印刷、打印設備。所以，以量子點薄膜制備的量子點發(fā)光二極管（QLED）成為下一代顯示技術的有力競爭者。一個QLED器件通常包括電極1，空穴注入層、空穴傳輸層，量子點發(fā)光層，電子傳輸層（注入層）和電極2。根據(jù)電極1和電極2的相對位置，即底電極和頂電極，QLED...
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