技術(shù)編號(hào)：11064309
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法。背景技術(shù)集成電路尤其超大規(guī)模集成電路的主要半導(dǎo)體器件是金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOS晶體管)。隨著集成電路制作技術(shù)的不斷發(fā)展，半導(dǎo)體器件技術(shù)節(jié)點(diǎn)不斷減小，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的幾何尺寸遵循摩爾定律不斷縮小。當(dāng)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)尺寸減小到一定程度時(shí)，各種因?yàn)榘雽?dǎo)體結(jié)構(gòu)的物理極限所帶來的二級(jí)效應(yīng)相繼出現(xiàn)，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的特征尺寸按比例縮小變得越來越困難。其中，在半導(dǎo)體制作領(lǐng)域，最具挑戰(zhàn)性的是如何解決半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)漏電流大的問題。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的漏電流大，主要是...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。