技術(shù)編號：11061889
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。包括沉積設(shè)備的半導體制造系統(tǒng)相關(guān)申請的交叉引用本申請要求2015年10月22日在美國專利及商標局提交的美國臨時申請?zhí)?2/245,150的優(yōu)先權(quán)，該美國臨時申請的全部公開內(nèi)容通過引用并入本文。技術(shù)領(lǐng)域一個或多個實施方式涉及半導體制造系統(tǒng)，并且更特別地，涉及例如包括用于形成薄層的沉積設(shè)備的半導體制造系統(tǒng)。背景技術(shù)為了滿足更小半導體裝置的設(shè)計規(guī)則，已致力于在半導體襯底上沉積更薄的層并通過使用低溫工藝代替高溫工藝來減少薄層之間的物理或化學干擾。如果使用等離子體來沉積薄層，可誘發(fā)反應(yīng)物之間的化學反應(yīng)而不...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。