技術(shù)編號：11048734
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及集成電路電源管理領(lǐng)域，尤其涉及一種LDO電路。背景技術(shù)隨著集成電路的快速發(fā)展，LDO作為重要的電源管理模塊廣泛應(yīng)用于SoC芯片設(shè)計(jì)中。典型LDO結(jié)構(gòu)如圖1所示，包含參考電壓（通常由帶隙基準(zhǔn)電路實(shí)現(xiàn)）、誤差放大器、功率管和反饋電阻。典型LDO正常工作是建立在誤差放大器和帶隙基準(zhǔn)電路等模擬電路的晶體管工作在飽和區(qū)為基礎(chǔ)。然而隨著CMOS工藝尺寸的不斷縮減，低功耗設(shè)計(jì)難度不斷加大，芯片供電電壓不斷降低（甚至是近閾值供電），在低電壓，甚至是超低電壓下，已難以保證誤差放大器等模擬電路正常工作...
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