技術(shù)編號(hào):10999635
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。在電力設(shè)備長(zhǎng)期運(yùn)行過(guò)程中,受環(huán)境或人為等因素影響,可能逐漸會(huì)發(fā)生失壓、形變現(xiàn)象,造成安全隱患,嚴(yán)重時(shí)可能導(dǎo)致設(shè)備損壞、線路停電等電力事故,因此電力設(shè)備狀態(tài)監(jiān)測(cè)受到電力公司各級(jí)部門高度關(guān)注。目前對(duì)于電力設(shè)備進(jìn)行溫度檢測(cè)主要是基于硅材料和半導(dǎo)體技術(shù)的MEMS或CMOS傳感器,在主站的軟件系統(tǒng)上觀測(cè)設(shè)備的溫度變化情況。這種技術(shù)方案有兩點(diǎn)問(wèn)題一是基于硅材料和半導(dǎo)體技術(shù)的MEMS或CMOS傳感器,其尺寸和材料都收到限制,難以滿足電力系統(tǒng)“抗干擾強(qiáng),安裝簡(jiǎn)便,可靠穩(wěn)定...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。