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一種金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管陣列的制作方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號:10922863

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目前,公知的晶體管陣列是由達(dá)林頓(DarIingdon)管及反向釋放能量的二極(D1de)管單元并聯(lián)而成的達(dá)林頓晶體管陣列。達(dá)林頓晶體管陣列的管腳排列圖如圖1所述,達(dá)林頓晶體管陣列內(nèi)部的功能框圖如圖2所示。達(dá)林頓晶體管陣列將弱電流驅(qū)動信號輸入源與晶體管陣列的基極(Base)相連接,利用達(dá)林頓管的大直流電流增益(HFE)特性,促使達(dá)林頓管工作趨于飽和區(qū),從而達(dá)到大電流驅(qū)動能力。但是,很多時候弱電流驅(qū)動信號的不穩(wěn)定性,導(dǎo)致達(dá)林頓管工作于線性區(qū),從而降低了達(dá)林頓...
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