技術(shù)編號：10824951
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。集成電路包括在單個半導(dǎo)體襯底形成并且由布線互連在一起的多個半導(dǎo)體器件。在集成電路中，半導(dǎo)體器件可以用作功率開關(guān)或信號處理器件。功率半導(dǎo)體器件亦稱為電力電子器件，包括功率二極管、晶閘管、VDMOS(垂直雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體)場效應(yīng)晶體管、LDMOS (橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體)場效應(yīng)晶體管以及IGBT (絕緣柵雙極型晶體管)等。IGBT是由BJT(雙極型三極管)和FET(場效應(yīng)晶體管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件。IGBT兼具BJT和FET兩者...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。