技術(shù)編號：10727750
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。砷化鎵化合物太陽電池一直以來都是各國研究的熱點，受到人們的普遍重視，并且相較于傳統(tǒng)硅基太陽電池有著較高的光電轉(zhuǎn)換效率和優(yōu)良的可靠性，從而在空間電源領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。常規(guī)太陽電池芯片的制作方法是先在P型Ge襯底上依次生長N型GaInP的成核層形成低電池、N型GaAs緩沖層、第一隧穿結(jié)、InGaAs中電池、第二隧穿結(jié)、GaInP頂電池、N型AlInP窗口層、N型GaAs接觸層完成外延片的生長，取得電池外延片。然后將電池外延片經(jīng)過酸性清洗、干燥，在背面分別通...
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