技術(shù)編號：10694231
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。近年來，對于硅系半導(dǎo)體器件，隨著設(shè)計(jì)規(guī)則的微細(xì)化，其性能日益提高。因此，從各個(gè)晶體管、將晶體管之間連接的金屬配線的放熱成為了問題。為了應(yīng)對該問題，也出現(xiàn)了在器件的制作后使硅基板的背面變薄到百微米?數(shù)百微米左右、在芯片上安裝巨大的風(fēng)扇、促進(jìn)放熱的方案、使水冷管圍繞的方案。但是，實(shí)際上即使使硅變薄，制作器件的區(qū)域也是從表面到數(shù)微米左右的厚度，其以外的區(qū)域作為熱積存處發(fā)揮作用，因此從放熱的觀點(diǎn)出發(fā)，效率變差。另外，近年來，高性能處理器等中使用的SOI晶片等在器件...
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