技術(shù)編號：10688601
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。半導(dǎo)體存儲器件通常分類為易失性存儲器件或非易失性存儲器件。非易失性存儲器件具有較低的寫入速度和讀取速度，但即便在電壓被切斷之后仍能維持儲存的數(shù)據(jù)。相應(yīng)地，非易失性存儲器件被用來儲存無論電源如何都需要被維持的數(shù)據(jù)。非易失性存儲器件可以包括只讀存儲器(R0M)、掩蔽型ROM(MROM)、可編程ROM (PROM)、電可編程ROM (EPROM)、電可擦除可編程ROM (EEPROM)、快閃存儲器、相變RAM (PRAM)、磁型RAM (MRAM)、電阻式RAM...
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