技術編號：10666092
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。隨著半導體技術的不斷發(fā)展，功率器件作為一種新型器件，被廣泛地應用于磁盤驅動、汽車電子等領域。功率器件需要能夠承受較大的電壓、電流以及功率負載。而現有MOS晶體管等器件無法滿足上述需求，因此，為了滿足應用的需要，各種功率器件成為關注的焦點。肖特基勢皇一■極管(SBD)—般是以肖特基金屬(欽、銀、鉆、絡、鉬等)為正極，以N型半導體為負極，利用二者接觸面上形成的勢皇具有整流特性而制成的金屬-半導體器件。因為N型半導體中存在著大量的電子，金屬中僅有極少量的自由電子...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。