技術(shù)編號：10663731
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 集成電路(ic)結(jié)構(gòu)(例如，晶體管)繼續(xù)縮放至較小尺寸以提供具有較好性能的較 小管芯和器件。當(dāng)前，一些1C結(jié)構(gòu)，例如磁性隨機(jī)存取存儲器(MRAM)的位陣列結(jié)構(gòu)，可以包 括磁性材料，該磁性材料通過光刻被圖案化并通過蝕刻被移除以限定MRAM中的磁性材料的 邊界。然而，在使用當(dāng)前圖案化技術(shù)(例如，反應(yīng)離子蝕刻）以納米級精度限定磁性材料的邊 界時可能由于這種蝕刻的損壞效應(yīng)和/或在使磁性材料揮發(fā)中的困難而產(chǎn)生困難。附圖說明 通過以下具體描述結(jié)合附圖將容易理解實(shí)施例...
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