技術(shù)編號(hào)：10658598
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。倒裝發(fā)光二極管由于其免打線、無電極遮光、優(yōu)良的散熱等優(yōu)點(diǎn)，是進(jìn)一步提高發(fā)光二極管發(fā)光效率的有效技術(shù)手段。目前用來制作高功率高亮度紅光及黃光LED的鋁鎵銦磷(AlGalnP)四元系材料，主要采用吸光的GaAs襯底材料，要想制作成高亮度的覆晶式LED 芯片，需轉(zhuǎn)移到透明襯底上，并且把光有效的萃取出來，提高外量子效率。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是提供一種具有圖形化透明鍵合層的，利用圖形化的透明鍵合層，確保鍵合質(zhì)量的同時(shí)提高倒裝發(fā)光二極管芯片的光提取效率。根據(jù)本發(fā)明的第...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。