技術編號：10658440
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。 隨著科學技術的迅猛發(fā)展，對功率半導體器件的性能提出了越來越高的要求。目 前使用的功率器件主要由硅等傳統(tǒng)半導體材料制成，由于受材料性能的限制，器件的電學 性能已經(jīng)難以持續(xù)的大幅提高;而且用這些材料制成的器件不能在高溫強輻射等惡劣環(huán)境 下長期工作，特別是在新能源、汽車電子、航空航天等領域中，傳統(tǒng)的硅功率器件已經(jīng)逐漸 難以勝任。 在眾多新型半導體材料中，碳化硅(SiC)材料以其良好的物理和電學性能成為制 造新一代半導體功率器件和電路的首選材料。尤其是高溫、高壓...
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