技術(shù)編號：10658213
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。通常通過沉積、生長、圖案化和蝕刻一系列的層形成固態(tài)器件。不同的層可以包括導電、半導電或絕緣材料。通常地，各向異性地蝕刻這樣的層以形成固態(tài)器件的各種原件。 各向異性蝕刻也可以用來去除各層而不會破壞先前形成的元件。各向異性蝕刻可以稱為干蝕刻。干蝕刻可以是反應(yīng)離子蝕刻(RIE)或氬濺射操作。然而，各向異性蝕刻的一個問題是它們通常留下副產(chǎn)物的殘留層。這些副產(chǎn)物可以是干擾諸如硅化物形成的后續(xù)半導體處理的污染物。由于這種原因，濕蝕刻因此結(jié)合至各向異性蝕刻操作?？梢栽诟?..
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