技術(shù)編號：10625719
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。參閱圖1和圖2所示，傳統(tǒng)的多晶硅半導體的圖案化制程是將多晶硅半導體層21置于緩沖層22上，在多晶硅半導體層21覆蓋一層光敏電阻23，然后采用刻蝕工藝刻蝕掉多晶硅半導體層21不需要的部分，保留下需要的圖案，完成圖案化多晶硅半導體層21，如圖2所示。蝕刻工藝常常被用來定義出圖案的形狀，將不需要的部分刻蝕掉，保留下需要的圖案，然而，在刻蝕掉不需要的部分時，會對所需要的圖案的邊緣造成損傷，即損壞圖案化后的多晶硅半導體層21的邊緣a、b，從而影響多晶硅半導體層21的...
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