技術(shù)編號(hào)：10618171
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。如圖1所示，金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)反應(yīng)器包括一個(gè)反應(yīng)腔100，反應(yīng)腔內(nèi)包括一個(gè)托盤14，多個(gè)待處理的基片固定在托盤上，托盤14下方中心有一個(gè)旋轉(zhuǎn)軸10驅(qū)動(dòng)托盤在反應(yīng)過程中高速旋轉(zhuǎn)。其中旋轉(zhuǎn)軸10也可以是氣體承載裝置，比如圓桶型結(jié)構(gòu)在晶圓托盤外圍支撐托盤14。托盤14下方還包括一個(gè)加熱器12加熱托盤14達(dá)到合適的高溫，這個(gè)高溫通常在1000度左右，以適應(yīng)氮化鎵(GaN)晶體材料的結(jié)晶生長(zhǎng)。反應(yīng)腔100內(nèi)與托盤相對(duì)的是一個(gè)氣體噴淋頭，氣體噴淋頭包括...
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