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用于改進型磁阻式隨機存取存儲器工藝的垂直磁性隧道結的制作方法技術資料下載

技術編號:10614642

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現(xiàn)在的許多電子器件都包含電子存儲器。電子存儲器可W是易失性存儲器或非易 失性存儲器。非易失性存儲器能夠在失電時儲存數(shù)據(jù),然而易失性存儲器不能在失電時儲 存數(shù)據(jù)。由于磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)優(yōu)于目前的電子存儲器的優(yōu)勢,所W該MRAM 是下一代電子存儲器的一種有前景的候選者。與目前的諸如閃速隨機存取存儲器的非易失 性存儲器相比,MRAM通常更快并且具有更好的耐用性。與目前的諸如動態(tài)隨機存取存儲器 值RAM)和靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)的易失性存儲...
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