技術(shù)編號(hào):10571561
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。四元系A(chǔ)lGaInP是一種具有直接寬帶隙的半導(dǎo)體材料,已廣泛應(yīng)用于多種光電子器件的制備。由于材料發(fā)光波段可以覆蓋可見(jiàn)光的紅光到黃綠波段,由此制成的可見(jiàn)光發(fā)光二極管受到廣泛關(guān)注。傳統(tǒng)的垂直結(jié)構(gòu)AlGaInP發(fā)光二極管借助厚的P-GaP電流擴(kuò)展層進(jìn)行橫向擴(kuò)展后將電流注入發(fā)光區(qū),一方面由于P-GaP電流擴(kuò)展能力有限,電極下方附近區(qū)域電流密度較高,離電極較遠(yuǎn)的區(qū)域電流密度較低,導(dǎo)致整體的電流注入效率偏低,從而降低了發(fā)光二極管的出光效率。另一方面厚的P-GaP需要較...
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