技術(shù)編號：10571431
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。閃存器件由于擦寫速度要求在存儲區(qū)采用淺槽嵌壁(CRS)工藝，增加0N0(0xide-Nitride-Oxide，氧化物/氮化物/氧化物，一般為二氧化硅/氮化硅/ 二氧化硅)的面積從而提高耦合率。由于淺槽嵌壁需要通過濕法刻蝕工藝來完成，對濕法刻蝕光阻侵蝕能力存在一定程度的挑戰(zhàn)。但是，如圖1所示，在現(xiàn)有技術(shù)的淺槽嵌壁工藝中，濕法刻蝕易發(fā)生光阻剝落，導(dǎo)致淺槽嵌壁刻蝕阻擋，最終影響器件耦合率，對良率及可靠性存在直接的影響。因此，希望能夠提供一種能夠有效。發(fā)明內(nèi)容本...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。