技術(shù)編號：10565743
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。高效晶硅電池是光伏產(chǎn)業(yè)的一個重要發(fā)展趨勢。為最大限度增加晶硅電池的光電轉(zhuǎn)換效率，晶硅電池表面鈍化工藝是高效電池制造的必要手段之一。并且隨著電池生產(chǎn)技術(shù)的進(jìn)一步提尚在不斷改進(jìn)和提尚。原子層沉積(Atomic layer deposit1n，ALD)技術(shù)是一個以表面化學(xué)氣相反應(yīng)為基礎(chǔ)的薄膜沉積技術(shù)。它通過將兩種以上的化學(xué)氣體前驅(qū)物分開導(dǎo)入反應(yīng)腔，使得每一種前驅(qū)物在基地表面分別發(fā)生充分飽和的表面化學(xué)反應(yīng)，其間對飽和表面反應(yīng)后的氣相反應(yīng)產(chǎn)物及未反應(yīng)的氣體吹掃干凈，...
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